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QX6N135 QX6N136

特性
高比特率：1MBit/s
輸入-輸出隔離電壓 (VISO=5000 Vrms )
兼容 TTL
集電極開路輸出
符合加強絕緣標準
符合安規標準：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5
(VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QXM720

特性
CMOS 可兼容：+3.3V 和 +5 V
脈沖寬度失真最大值：25ns
傳播延遲最大值：55ns
傳播延遲傾斜最大值：40ns
高速：15MBd (最?。?br/>共模抑制最小值：10 kV/μs
溫度范圍：–40°C ～105°C
無故障上電功能
符合安規標準：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5
(VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QXH11LX

特性
高數據速率，典型頻率為 2MHZ(NRZ)
在整個電壓和溫度范圍內無閂鎖和振蕩
兼容微處理器的驅動器
輸出在 0.4V 條件下的最大灌電流為：16mA
保證導通/關斷閾值滯后
寬電源電壓能力，兼容常見的邏輯電平
溫度范圍：–55°C ～100°C
緊湊型雙列直插式封裝
符合安規標準：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5
(VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QX075L

特性
高速響應 15 MBit/s
寬工作溫度：-40℃~105℃
–40°C to 105°C
SOP8 封裝
共模抑制能力至少達 10 kV/μs
無短時脈沖電源啟動功能
符合安規標準：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5
(VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QX3H4X

特性
電流轉換比(CTR)范圍: ≥20% (IF=±1mA, VCE=5V, Ta=25℃)
輸入-輸出隔離電壓 (VISO=3750 Vrms )
集電極-發射極擊穿電壓 BVCEO≥80V
工作溫度：-55℃~110℃
符合加強絕緣標準
符合安規標準：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QX357X

特性
電流轉換比(CTR)范圍: 80%~600% (IF=5mA, VCE=5V, Ta=25℃)
輸入-輸出隔離電壓 (VISO=3750 Vrms )
集電極-發射極擊穿電壓 BVCEO≥80V
工作溫度：-55℃~+110℃
符合加強絕緣標準
符合安規標準：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QX816X

特性
電流轉換比(CTR)范圍: 200%~600% (IF=5mA, VCE=5V, Ta=25℃)
輸入-輸出隔離電壓 (VISO=5000 Vrms )
集電極-發射極擊穿電壓 BVCEO≥80V
工作溫度：-55℃~110℃
符合加強絕緣標準
符合安規標準：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
QX817X

特性
電流轉換比(CTR)范圍: 80%-600% (IF=5mA, VCE=5V, Ta=25℃)
輸入-輸出隔離電壓 (VISO=5000 Vrms )
集電極-發射極擊穿電壓 BVCEO≥80V
工作溫度：-55℃~110℃
符合加強絕緣標準
符合安規標準：UL 1577，VDE DIN EN60747-5-5 (VDE 0884-5），CQC11-471543-2022
高壓光耦

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